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高壓MOS場效應管 FCB11N60標注的Id電流是MOS芯片的最大常態電流,實際使用時的最大常態電流還要受封裝的最大電流限制。因此客戶設計產品時的最大使用電流設
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單P溝道低壓MOS場效應管單P溝道低壓MOS場效應管型號類型V(BR)DSSVGSID25CVGS(th)typPD(W)25CRDS(on)10VRDS(on)4.5VRDS(on)2.5V封裝形式替代型號PDFSI230
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220FP 3 STF24N60M2絕緣柵MOSFET原裝現貨TO ST/意法材料N-FET硅N溝道電流18A電壓600V種類絕緣柵MOSFET溝道類型N溝道導電方式增強型
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220FP ST/意法STP3NK90ZFP絕緣柵MOSFET原裝現貨TO 3材料N-FET硅N溝道電流3A電壓900V種類絕緣柵MOSFET溝道類型N溝道導電方式增強型
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ST/意法STP90NF03L 220 絕緣柵MOSFET原裝現貨TO 3材料N-FET硅N溝道電流90 A電壓30 V種類絕緣柵MOSFET最大耗散功率150W溝道類型N溝道
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3 220 ST/意法STP120NF10絕緣柵MOSFET原裝現貨TO材料N-FET硅N溝道電流120A電壓100V種類絕緣柵MOSFET最大耗散功率312W溝道類型N溝道
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場效應管_UT4411-S08-R_UT4413UT4411-S08-R,SOP-8,SMD/MOS,P場,-30V,-8A,,0.032ΩUT4413-S08-R,SOP-8,SMD/MOS,P場,-30V,-15A,,0.0085Ω';
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